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産業技術総合研究所先進パワーエレクトロニクス研究センター | 論文
- 産業技術総合研究所におけるSiC素子の最近の進展(Group IV Compound Semiconductors, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
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- 高濃度オゾンによるSiC高速酸化と酸化膜の特性評価
- SiC MOSFETの諸問題と基礎技術
- 化学気相法によるSiC高速エピタキシャル成長技術の現状
- 4H-SiC MOS界面の電子スピン共鳴分光評価(SiC-MOSゲートスタック技術の進展,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- SiC-MOSゲート構造の高信頼性化(SiC-MOSゲートスタック技術の進展,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)