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産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門 | 論文
- Flex Power FPGA におけるしきい値制御用バイアス電圧値組合せの最適化について
- Flex Power FPGA におけるしきい値制御用バイアス電圧値組合せの最適化について
- Flex Power FPGAにおけるしきい値電圧最適化アルゴリズムの検討(デバイスアーキテクチャII)
- Flex Power FPGAのしきい値電圧制御粒度の評価(デバイスアーキテクチャII)
- Flex Power FPGAにおけるしきい値電圧制御のための面積オーバヘッド評価(デバイスアーキテクチャI, リコンフィギャラブルシステム, 一般)
- Flex Power FPGAの動作スピードと消費電力の解析 : 回路レベルからチップレベルまで(デバイスアーキテクチャI, リコンフィギャラブルシステム, 一般)
- 新しいダブルゲートMOSFET技術(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
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- 極薄膜微結晶Si膜の作製とその特性
- ナノメ-タ-サイズSi量子細線の作製
- 電力を再構成可能なFlex Power FPGAの低消費電力プロセスによる試作と評価(デザインガイア2010 : VLSI設計の新しい大地)
- MCD分光法で探る強磁性半導体の電子構造
- エピタキシャル(Zn, Cr)Te/GaAs/(Ga, Mn)As三層構造の磁気的性質
- 希薄磁性半導体 : 新材料開発と課題
- II-VI族希薄磁性半導体Zn_Cr_xTeの磁気的性質に及ぼすZn/Te供給比の影響
- 室温で強磁性を示す希薄磁性半導体(Zn,Cr)Te
- 希薄磁性半導体(Zn, Cr)Teにおける巨大磁気抵抗効果
- 希薄磁性半導体(Zn, Cr)Teの磁気的性質に及ぼすZn/Te供給比の影響
- 希薄磁性半導体Zn_Cr_xTeの強磁性特性(磁性体物理)
- 高濃度Crドープ希薄磁性半導体Zn_Cr_xTeの強磁性特性