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理化学研究所半導体工学研究室 | 論文
- 23aK-13 AlGaN化合物半導体の真空紫外反射スペクトル
- カーボンナノチューブ結合量子ドットの形成と量子相関デバイスへの応用
- 29pYS-10 カーボンナノチューブにおける量子ドット的電気伝導
- カーボンナノチューブを用いた単一および結合量子ドット
- 25pSA-11 単層カーボンナノチューブを用いた量子ドットの形成
- 24aS-10 多層カーボンナノチューブの電気伝導特性
- カーボンナノチューブ量子ドットとGaAs/AlGaAs2次元電子ガスのハイブリッド化(単電子/単光子検出とマニピュレーション)
- カーボンナノチューブ量子ドットとGaAs/AlGaAs 2次元電子ガスのハイブリッド化(単電子/単光子検出とマニピュレーション)
- GaN量子ドット紫外LEDの作製と光学特性
- ナノテクノロジーと深紫外発光素子の開発
- アンチサーファクタントによる GaN 層の低転位化
- 原子レベルの表面構造制御による窒化物半導体の欠陥密度の低減
- 24pSB-6 III-V窒化物半導体の真空紫外反射・吸収スペクトル
- 25aC-6 III-V族化合物半導体のK内殻吸収
- Control of GaN Structural Dimensions
- 26p-YR-8 非S-K GaN量子ドットの成長機構I : 不純物添加によるステップフロー阻害効果
- Gan系半導体の自己形成量子ドット
- 31a-YJ-9 GaN量子ドットにおける励起子結合エネルギーの増大
- GaN量子ドットの成長機構とその光学特性 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
- 5a-E-3 GaN量子ドットの発光スペクトルの温度依存性