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物質材料研究機構(NIMS) | 論文
- 低速陽電子ビームを用いたhigh-kゲート絶縁膜の空隙の評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 低速陽電子ビームを用いた high-κ 膜の空隙評価
- 28aRC-11 簡略化されたTC-VMC法による多体波動関数の最適化と拡散モンテカルロ法への応用(28aRC 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- Hf系絶縁膜中の水素原子の原子レベルの挙動の理論的研究 : ホールを起源とした絶縁破壊のメカニズム(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- HfO_2系high-kゲート絶縁膜信頼性劣化の物理モデル(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 29pPSA-18 トランスコリレイティッド法による固体の電子状態計算(領域11ポスターセッション)
- 新しい第一原理電子状態計算手法トランスコリレイティッド法 (
- 31aPS-17 Transcorrelated 法による多成分量子系の取り扱い
- Si 結晶中に埋め込まれた FeSi_2 のTEM観察
- 15aTB-2 TC-VMC 法による He 原子の励起状態計算(電子系 : 第一原理計算, 領域 11)
- コンビナトリアル手法によるHfO_2系酸化膜の電気特性評価 : 熱力学観点からの材料選択と界面制御(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- 30aYT-1 Jastrow-Slater型波動関数を用いたセルフコンシステントな第一原理電子状態計算
- 会議だより 第9回物理と化学における密度汎関数法の応用に関する国際会議(DFT2001)
- 29aWJ-13 Transcorrelated 法による非局所密度汎関数の作成
- 28pTA-10 HfO_2表面に吸着したグラフェンの電子構造(28pTA 領域7,領域9合同 グラフェン(修飾/キャリア・ドープ),領域7(分子性固体・有機導体))
- 7aTC-4 Transcorrelated法による個体の電子状態算(電子系,量子スピン系,領域11)
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