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横浜市大 大学院総合理学研究科 | 論文
- 29p-BPS-33 Si(111)表面上のSi薄膜のLEEDと近赤外反射スペクトル
- 25p-PS-53 Si(111)超格子表面上のSi薄膜の表面構造形成 II : 成長条件と表面構造
- 横浜市立大学大学院 生命ナノシステム科学研究科 ナノシステム科学専攻 表面科学研究室
- 30aRD-3 歪みによるSi/Ge(111)-√×√-Ag表面の電子状態の変化(30aRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aTD-3 Ge/Si(111)-5×5-DAS表面上のAg吸着構造の電子状態(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 20aPS-11 Si(111)表面上のAuシリサイドナノクラスターの局所電子状態と光電子分光(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 30pYB-2 Si(111)表面上のAuシリサイドナノクラスターの局所電子状態(30pYB 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22aXF-7 Si(111)表面上のAuシリサイドナノクラスターの形成と電子状態(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aXC-4 Si(111)表面上のAuシリサイドナノクラスターの形成と温度変化(表面ナノ構造,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 28pPSB-13 走査型トンネル分光法による局所状態密度の解析
- 28pYQ-12 Si(111)表面上に自己形成したSiナノクラスターの構造と局所電子状態
- 23aT-11 低温エピタキシーにおける特有な表面構造に起因した表面ラフニング
- 表面構造のエピタキシャル成長におよぼす影響 -Si(111)-7×7表面上のSiホモエピタキシャル成長を例に-
- 15a-DJ-11 Si(111)表面の7x7形成過程と欠陥構造II-STM観察
- 30aPS-43 二探針STMの作製およびその性能評価(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 高速ビームロッキング法による反射高速電子線回折強度の測定とその応用
- 二次元ナノアイランドの形成と局所電子状態
- 反射型高速電子線回折(RHEED)法の動的表面構造変化への応用
- 結晶表面ナノ構造における物性 (特集欄 ナノテクノロジーにおけるものづくり) -- (真空中で作製するナノ構造)
- ワッカビニリデン蒸着膜の分子配向一基板による制御 : 有機結晶(一般)II
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