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横浜市大 大学院総合理学研究科 | 論文
- アルツハイマー病治療薬の現状と今後の展開 : 序文
- 水素系量子シミュレーション技術の構築 (特集2/シミュレーション技術の革新と実用化)
- 高温領域におけるSi(111)表面の構造変化 : 反射型高速電子線回折(RHEED)による研究
- 30aXE-5 擬似1次元収束ビームによるRHEEDロッキングカーブの高速測定
- 28pTA-4 高温Si(111)1×1表面における表面原子の熱振動の異常増大
- 磁場による視射角偏向機能を備えた反射型高速電子線回折(RHEED)装置の試作と動的構造変化への応用
- 23aT-4 Si(111)7×7-1×1相転移温度以上の表面構造変化
- 30p-S-7 Si/Si(111)-7×7の初期成長に見られる層構造の安定性
- 28p-YM-4 Si(111)-7×7表面上のホモエピタキシャル成長中の構造変化
- 29a-PS-3 Si(111)-7×7表面上の準安定islandの形成
- 3a-K-1 MBE成長中のRHEEDロッキングカーブのその場測定
- Si(lll)-7×7超格子表面上に成長するSi層の核形成過程 : 薄膜成長I
- 31p-S-2 Si/Si(111)低温エピタキシー膜の初期構造形成III : RHEED・STMによる観察
- 28p-PSB-13 磁場偏向型RHEEDロッキングカーブ測定装置の試作
- 5a-Q-5 Si/Si(111)低温エピタキシー膜の初期構造形成II : RHEED/STMによる観察
- Si(111)-7x7表面上のSi低温エピタキシャル成長の初期過程 : RHEED・STMによる観察 : 気相成長IV
- ホモエピタキシャル成長表面のモルフォロジ-と成長機構 (原子レベルでの結晶成長機構) -- (成長表面と界面構造)
- 14a-DH-3 Si/Si(111)低温エピタキシー膜の表面構造変化
- Si(111)-7×7表面上のSi膜の低温エピタキシャル成長 : エピタキシャル層のアモルファス化
- 27a-ZF-13 Si(111)表面上のSi低温エピタキシー薄膜のLEED