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横国大工 | 論文
- 23aPS-25 Bi2212単結晶の臨界状態
- 酸素存在下におけるSi(001)-2×1上でのチタンシリサイド形成の走査トンネル顕微鏡(STM)観察
- 29pPSB-56 Si(001)表面におけるO_2,NO,CO反応過程の反射分光による検討(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 29pPSB-52 Ruシリサイドのナノ構造作製と電子状態の測定(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aTE-7 Si(001)表面におけるNO吸着構造の反射分光による解析(27aTE 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aXB-3 Si表面上におけるRuの拡散と表面構造の観察(23aXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pPSB-3 Si(001)表面上の銀薄膜成長過程のリアルタイム反射分光(22pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 酸素吸着Ti/Si(001)の走査トンネル顕微鏡(STM)観察
- Si(111)面におけるRuシリサイドの形成と成長過程
- 25pTD-4 表面光反射分光によるSi(001)表面反応の解析(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 26aTD-2 Ti/Si(001)表面におけるシリサイド形成過程と局所電子状態の考察(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22pPSA-77 Si(001)表面における電子線励起欠陥形成過程の実時間反射分光(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22pPSA-78 Ruシリサイドの形成と局所電子状態の測定(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 24aXB-5 Ti/Si(001)表面における局所電子状態の解析(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 24pXJ-11 Ti/Si(001)表面における拡散過程の解析(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 半導体表面からの励起電子誘起脱離(I) : ハロゲン吸着シリコンへの電子・正孔注入の場合
- 25pPSB-9 水素終端Si(001)表面における表面光反射スペクトルの考察(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pYC-10 Si(001)初期酸化過程における表面差分反射スペクトル構造の検討(26pYC 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 10aSJ-9 One-gluon補正を加えた仮想光子の構造関数(コライダー物理,素粒子論領域)
- 17pPSA-27 Fe_2O_3ナノ微粒子のCoドープ効果
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