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株式会社松下テクノリサーチ | 論文
- 電子サイクロトロン共鳴プラズマによる黒鉛表面のフッ素化改質
- AlGaAs系化合物半導体におけるFIBダメージ層の評価
- CdZnSe/ZnSe SCH構造のTEM,CL観察
- 特集企画にあたって
- InGaAsP 歪量子井戸におけるPL発光特性の成長温度依存性
- 電子線ホログラフィーによる p-n 接合の観察
- CLによるGaAsデバイス内の応力評価
- 低加速電圧走査電子顕微鏡による電子材料の評価技術
- 半導体デバイス観察へのFIBの適用
- EM-EDS 法による化合物半導体レーザの組成定量評価
- 半導体レーザの断面TEM観察:FIB試料作製法の検討
- V. デバイス, デバイス材料 半導体デバイスのPin-Point欠陥解析