スポンサーリンク

株式会社東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部 | 論文

• 45nm世代のLSTP SRAMへのNi FUIS電極適用によるしきい値ばらつき抑制効果(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• 45nm世代のLSTP SRAMへのNi FUIS電極適用によるしきい値ばらつき抑制効果
• SOI/Bulkハイブリッド基板を用いた高性能SoC実現のためのDRAM混載技術
• SOI/Bulkハイブリッド基板を用いた高性能SoC実現のためのDRAM混載技術
• 45nm世代のLSTP SRAMへのNi FUIS電極適用によるしきい値ばらつき抑制効果(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• 65nm世代以降のVdd,Vthのスケーリング指針の新規提案(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
• 65nm世代以降のVdd,Vthのスケーリング指針の新規提案(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
• レイアウト依存性を考慮したコンパクトモデルの開発(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• High-K/Metal Gate MOSFETsにおける新しいレイアウト依存性(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

スポンサーリンク