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株式会社東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター半導体プロセス開発第五部 | 論文

• 電解めっきを用いた ULSI 多層 Ag 配線
• 2-Step めっき法による Sn-Ag はんだバンプ形成プロセス
• 銀多層配線の保護層としての無電解 Ni-B めっき
• 積層めっきによるはんだバンプ形成プロセス : 微細接続の視点から要求されるプロセスの高品位化(SiP技術の将来像-そのニーズと応用)

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