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株式会社シリコンテクノロジー | 論文
- 22aWA-1 レーザーアニールを利用したSi(111)清浄表面の電子状態
- 大気圧プラズマCVD法によるエピタキシャルSiの低温かつ高速成長(第1報) : エピタキシャルSi成長条件の検討
- 大気圧プラズマCVDによるSiの低温・高速エピタキシャル成長(第3報) : 成膜速度と温度の関係
- 大気圧プラズマCVDによるSiの低温・高速エピタキシャル成長(第2報):成膜温度と投入電力が結晶性に及ぼす影響
- 大気圧プラズマCVDによるSiの高速エピタキシャルの成長
- レーザ光散乱法によるSiウエハ表面上の超微小欠陥計測
- レーザ光散乱法によるSiウエハ付着超微粒子計測
- 光散乱法によるSiウエハ表面欠陥の大面積計測
- 光散乱法による研磨・洗浄後のSiウエハ表面の評価
- シリコンウエハ表面上の微粒子・微小欠陥による光散乱 : 散乱光強度およびレンズによる像形成の計算
- 光散乱法によるSiウエハ表面上のナノ形状欠陥の計測