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松下電器産業(株) | 論文
- AlGaN/GaN HFETを用いた高出力SPDTスイッチIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- AlGaN/GaN HFET を用いた高出力SPDTスイッチIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- AlGaN/GaN MODFETの電気特性のゲート方位依存性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlGaN/GaN MODFETの電気特性のゲート方位依存性
- シングルエンデッド部分共振電圧形ソフトスイッチングインバータにおけるIGBTとMCTの性能評価
- シングルエンデッド高周波ソフトスイッチングPWMインバータの新回路トポロジー
- マグネトロン駆動用新形トランス共振ZVS-PWM高周波インバータ制御 DC-DCコンバータ
- LJ-001 家庭内視聴環境におけるテレビの視距離と視覚疲労の関係について(ヒューマンコミュニケーション&インタラクション)
- CIS系薄膜太陽電池レーザパターニング工法開発(1)
- 4)酸化タンタルスパッタ膜の膜質とそのELデバイスに与える影響(情報ディスプレイ研究会)
- 10インチ高品位EL表示装置
- Sr(Zr_Ti_)O_3誘電体薄膜の高周波スパッタリング合成
- 4)Pr-Mn酸化物薄膜を用いた高コントラスト高精細度薄膜ELパネル(〔画像表示研究会(第98回)視覚情報研究会(第70回)〕合同)
- Pr-Mn酸化物薄膜を用いた高コントラスト高精細度薄膜ELパネル
- 4) 大形高精細度薄膜ELパネル(画像表示研究会(第83回))
- 大型高精細度薄膜ELパネル(「Japan Display'83より」)
- 熱電モジュ-ル用膜形状熱電材料の開発
- ICB法により作製したFe-Si-O系薄膜の熱電特性及び微細構造
- 液晶投写型ハイビジョン用高密度反射型TFTアレイ(Japan Display'89)
- 高密度反射型TFTアレイの特性