スポンサーリンク
松下電器産業(株) | 論文
- 圧電センサを用いた共振型バイブロスキャン法の開発
- バイブロスキャン微細穴形状測定装置の開発
- 分布ブラッグ反射型半導体レーザーと導波路型波長変換素子を用いた高出力SHG青紫色レーザー
- 電気設備年報 第3章 情報通信設備
- 第3章 情報通信設備
- 楕円曲線理論の応用数理における開花 : 楕円曲線暗号
- SB-2-1 デカップリング・インダクタによるディジタル回路の電源・グランドノイズ低減の定量評価
- ディジタル多層基板の電源・グランド層間に流れる高周波電流の低減効果の実験的評価
- ディジタル基板の電源グランドプレーン共振による放射の低減手法
- 高能率符号励振線形予測符号化と帯域選択型変形離散余弦変換符号化を用いた32kbit/sスケーラブル広帯域音声・オーディオ符号化方式の開発
- サファイア基板上準ミリ波帯AlGaN/GaN MMIC
- C-10-14 サファイア上マイクロストリップ線路を用いた準ミリ波帯AlGaN/GaN MMIC(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- AlGaN/GaN Power Transistors for power switching applications(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- AlGaN/GaN HFETにおけるAlNパッシベーションの効果(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- AlGaN/GaN HFETにおけるAlNパッシベーションの効果
- C-10-13 AlGaN/GaN HFETにおけるAlNパッシベーションの効果(C-10.電子デバイス,一般講演)
- パワースイッチングシステム応用に向けてのAlGaN/GaNデバイス
- AlGaN/GaN HFETの高周波およびパワーデバイスへの応用(High Speed and Optoelectronic Technology I, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- C-10-21 AlGaN/GaN HFETを用いた高出力SPDTスイッチIC(C-10.電子デバイス)
- AlGaN/GaN HFETを用いた高出力SPDTスイッチIC