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松下電器産業(株) 先端技術研究所 ナノテクノロジー研究所 | 論文
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- SiGe-ヘテロDTMOSの1/fノイズ特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
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- 層状結晶における原子層を利用した高温超伝導ジョセソフン接合
- 極薄酸化膜を介したシリコンバンド間トンネル素子の形成と評価
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- TMR素子の抗磁力の抑制
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