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東芝 研究開発センター | 論文
- ソースにSiGe領域を形成したSOI・MOSFETにおけるドレイン破壊電圧改善のシミュレーション解析
- SiGeソース構造によるSOI MOSFET基板浮遊効果の抑制 : SiGe構造パラメータ依存性
- B213 数値流体解析によるタービン静翼動翼周りの流れの可視化(OS-7 高温・高効率発電(2),一般講演,地球温暖化防止と動力エネルギー技術)
- ジェリーロール法Nb_3Al超電導線材の開発(3)
- ジェリーロール法Nb_3Al超電導線材の開発(2)
- ジェリーロール法Nb_3Al超電導線材の開発(1)
- ポストCMOSのための新ナノアーキテクチャ (特集 ナノテクノロジー)
- INSTAC-32準拠プラットフォームを用いたRSAに対する故障利用攻撃実験(情報通信基礎サブソサイエティ合同研究会)
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- 触って操作するCAD
- 顔画像による個人認証
- スタイリングCADシステム
- InGaAlP赤色面発光レーザ
- 狭トラック幅GMRヘッド対応のハードバイアス膜
- A-1-27 Random Greedy手法を用いた耐欠陥3Dクロスバーバス回路(A-1. 回路とシステム,一般セッション)
- ポストシリコン素子の3次元ナノアーキテクチャ (特集 イノベーションを支えるナノエレクトロニクス)
- H.263をベースとしたObject Scalabilityの実現
- 24-6 シーンチェンジ時におけるセル廃棄補償法
- アルミナ分散強化銅マトリックスによるチューブ法Nb_3Sn線の開発 : (1)加工特性