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東芝研究開発センター | 論文
- B-5-190 OFDM受信機におけるDCオフセット補償に関する一検討(B-5.無線通信システムB(ワイヤレスアクセス),通信1)
- 高耐熱 Ni_xFe_/Al-oxide/Ta フリー層を用いた強磁性トンネル接合の磁化反転特性
- Sm-Fe-N系エアロゾル・デポジション厚膜の面直方向異方性化
- Sm-Fe-N系エアロゾル・デポジション厚膜の磁気特性と組織
- ユビキタス情報に基づく店舗内回遊モデル(社会システムと知能(群ユーザモデルと知的支援), 「社会システムにおける知能」及び一般)
- ナノテクに支えられる赤外線イメージセンサ
- スピンバルブ型CPP-GMR薄膜の高性能化
- CPP型スピンバルブ薄膜におけるGMR増大効果
- スピンバルブタイプCPPGMRにおける出力増大効果
- 対向型リニアコンフレッサーによる3段パルス管冷凍機の諸特性
- SiC基板上AlGaN/GaN HEMTの基板オフ角依存(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- AlGaN/GaN HEMTのDCストレスによる信頼性評価(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- Ku帯50W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- X帯80W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発
- X帯80W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- X帯40W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- C帯170W出力GaN-HEMTの開発(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- D6フォーマットHDTVディジタルVTR
- 大容量、高速、低電力、6F^2 MRAMセルのデバイスデザインおよびプロセスインテグレーション : 新しい磁化反転方式の提案(新型不揮発性メモリ)
- MRAM技術の進展と課題(新型不揮発性メモリー)
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