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東芝研究開発センター | 論文
- E219 サブクール流動沸騰を用いた電子デバイスの高熱流束除熱 : 小さい流路の除熱特性(オーガナイズドセッション21 : 電子機器の熱設計と解析の応用)
- E218 サブクール流動沸騰を用いた電子デバイスの高熱流束徐熱 : 小型マルチチャンネルの除熱特性(オーガナイズドセッション21 : 電子機器の熱設計と解析の応用)
- 万年時計の機構解明 : 第2報,動力部(機械力学,計測,自動制御)
- 万年時計の機構解明 : 第1報,天球儀と和時計(機械力学,計測,自動制御)
- 1005 万年時計の機構解明 その3 : 動力部(S91-1 機械技術史・工学史(1),S91 機械技術史・工学史)
- 1004 万年時計の機構解明 その2 : 天球儀(S91-1 機械技術史・工学史(1),S91 機械技術史・工学史)
- 1003 万年時計の機構解明 その1 : 和時計(S91-1 機械技術史・工学史(1),S91 機械技術史・工学史)
- 3)2/3インチ200万画素スタックCCD([情報入力研究会コンシューマエレクトロニクス研究会]合同)
- 2/3インチ200万画素スタックCCD : 情報入力,コンシューマエレクトロニクス
- Ku帯50W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- Ku帯50W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- X帯80W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- X帯40W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- X帯40W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- パストランジスタ回路の検討 : 高速加減算器への適用
- Bluetooth^ ヘッドフォン
- 第13回真空国際会議・第9回固体表面国際会議報告
- 26aQL-7 産業界での第一原理電子状態計算の利活用(第一原理電子状態計算のフロンティアと次世代計算機への期待,領域11,領域4,領域8,領域9,領域12合同シンポジウム,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 26aQL-7 産業界での第一原理電子状態計算の利活用(領域11,領域4,領域8,領域9,領域12合同シンポジウム:第一原理電子状態計算のフロンティアと次世代計算機への期待,領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 26aQL-7 産業界での第一原理電子状態計算の利活用(領域11,領域4,領域8,領域9,領域12合同シンポジウム:第一原理電子状態計算のフロンティアと次世代計算機への期待,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
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