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東芝研究開発センター | 論文
- C帯170W出力GaN-HEMTの開発(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
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- アンドープAlGaN/GaN HEMTを用いた1.9GHz動作SPDTスイッチ
- C-10-12 AlGaN/GaN HEMTを用いた5W出力1.9GHz動作SPDTスイッチ(C-10. 電子デバイス, エレクトロニクス2)
- 5W出力1.9GHz動作のAlGaN/GaN-HEMT SPDTスイッチ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
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- 600V AlGaN/GaN HEMTの試作とDC-DCコンバータ連続運転試験
- 600V GaN-HEMTを用いたDC-DCコンバータ連続運転(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
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- フィールドプレート構造を用いたGaNパワーデバイスの最適設計(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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- より強力な不正者に対する効率的なブラックボックス追跡のための階層的な鍵割り当て
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- 3D-Fast Asymmetric Spin Echo (FASE) 法と Region Growing 法による頭蓋内髄液腔の計測とその臨床応用
- ソフトウェア論文座談会
- 28pYR-10 リラクサーPb(Zn_Nb_)O_3のフォノン分散関係
- 26a-A-3 リラクサーPb(Zn_Nb_)O_3の複屈折の電場依存性
- 産業界におけるソフトウェア・エンジニアリングの動向(ソフトウェアの品質保証について)