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東芝セラミックス株式会社 | 論文
- 高移動度チャネルを有するひずみ Si-on-insulator/ ひずみ SiGe-on-insulator デュアルチャネルCMOSの作製と電気特性
- 一軸歪みSGOIチャネルを有する高性能マルチゲートpMOSFETs(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 高性能・微細ひずみSOI-MOSFET
- 高性能・部分空乏型および完全空乏型ひずみSOI-MOSFET(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 高性能・部分空乏型および完全空乏型ひずみSOI-MOSFET
- 常圧焼結SiCのバーナーフードへの適用
- 不透明石英ガラスの遮熱特性
- カーボン含有耐火物への最密充填理論式の適用
- 湿式吹付けに用いる急結剤の材料特性に及ぼす影響
- 湿式吹付けを用いたプレヒーターの施工改善
- 炭化けい素製ラジアントチューブの数値解析
- セラミックファイバー含有断熱材の湿式吹付け工法の開発
- 焼却施設用常圧燒結SiC製熱交換器部材-金属部材に代わるセラミック部材-
- 常圧燒結SiC保護管のラジアントチューブへの適用
- SGプレートの酸化特性に及ぼす添加物の影響
- 湿式吹付けに用いる急結剤の材料特性に及ぼす影響
- 湿式吹付を用いたプレヒーターの施工改善
- 炭化珪素製ラジアントチューブの数値解析
- スライドゲートの形状コンパクト化
- セラミックファイバー含有断熱材の湿式吹付け工法の開発