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東理大理 | 論文
- ゾル-ゲル法によるBa_2NaNb_5O_薄膜の作製
- ナフテン酸金属塩の塗布熱分解による強誘電体Pb(Zr, Ti)O_3薄膜の作製と電気的性質
- Bi(o-C_7H_7)_3及びTi(i-OC_3H_7)_2(DPM)_2を用いたMOCVD法によるc軸配向Bi_4Ti_3O_薄膜の形成
- 25aWZ-1 Kを蒸着したW(100)面からのポジトロニウム負イオン放出(25aWZ X線・粒子線(陽電子),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
- 25aRH-2 陽電子衝突によるHeの全断面積測定3(25aRH 原子分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 層間化合物とその物性 : グラファイト・アルカリ金属層間化合物を中心として
- 29pUF-7 La_Sr_xCuO_y電子相図の歪み依存性(29pUF 高温超伝導(輸送現象,光学応答),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 13aRA-5 電子ドープ高温超伝導体薄膜の STM/STS(高温超伝導 : トンネル分光, 領域 8)
- 23aSG-13 La_Ba_xCuO_yMBE薄膜の物性測定II
- 22pSG-5 薄膜によるストライプ制御
- 格子不整合歪みによる高温超伝導体の転移温度の上昇
- 25aZG-4 La-214薄膜での高温抵抗率測定
- 25aZG-3 La_Ba_xCuO_MBE薄膜の物性測定
- 25aYS-10 La_Ba_xCuO_4薄膜での格子不整合歪みによる超伝導転移温度の上昇
- 25aYS-9 La_Sr_xCuO_(001)MBE薄膜の物性測定(2)
- 29a-L-6 La_Sr_xCuO_(001)MBE薄膜の物性測定
- 一般化した4体クラスター状態におけるエンタングルメントの解析(フレッシュマンセッション,フレッシュマンセッション,一般)
- 25aRC-4 中赤外自由電子レーザー励起による半導体DAペア発光II(25aRC 非線形光学/高密度励起,領域5(光物性))
- 24pWY-7 軟X線分光によるKH_2PO_4単結晶の電子構造解析II(24pWY 硫安系・TGS・水素結合系,領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
- 24pWY-6 K_3H(SeO_4)_2の結晶構造(24pWY 硫安系・TGS・水素結合系,領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
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