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東大物工 | 論文
- 21aYF-7 数nmサイズSi量子ドットの大規模第一原理計算(21aYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pWB-4 ナノ・キャパシタにおける電荷分極状態の第一原理的な計算手法の開発と量子効果の解析(電子系(密度汎関数法),領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
- 19pXB-2 Si複空孔欠陥構造に関する大規模第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造(半導体・ナノ粒子・表面界面),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 25aYH-8 密度汎関数理論に基づくGe/Si(001)界面近傍におけるGe原子空孔の構造(25aYH 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aYF-14 炭素ナノ物質のキャパシタにおける量子効果(23aYF ナノチューブ伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
- 2P038 ペプチド結合を介したプロトン移動(蛋白質 B) 構造・機能相関))
- Siダングリングボンドネットワークにおける磁性の理論
- 3SB08 理論計算による蛋白質中での電子、陽子移動(蛋白質場の精密化学)
- 30aWE-5 密度汎関数理論に基づくポリグリシンおよびチトクロム酸化酵素の電子構造(生物理一般)(領域12)
- 20pYE-7 Al および Si 原子鎖のコンダクタンス計算
- 第一原理計算によるZrB_2基板上GaNエピタキシャル成長の理論的研究(ナノ構造・エピ成長分科会特集「窒化物半導体エピタキシャル成長における基板の役割」の再考)
- SiO_2中のB拡散の第一原理計算(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)
- 27aYM-5 ペロフスカイト型Mn酸化物における軌道の自由度と共鳴非弾性X線散乱の理論II
- 24pRB-11 Mott-Anderson転移近傍における電気伝導の理論的研究 : κ型ET塩FETに対する実験結果との比較(24pRB 領域7,領域8合同 モット転移,領域7(分子性固体・有機導体))
- 24pRB-9 層間スクリーニング効果を含めたκ-(BEDT-TTF)_2Xの第一原理有効模型の数値解析(24pRB 三角格子・スピン液体,領域7(分子性固体・有機導体))
- 24pRB-11 Mott-Anderson転移近傍における電気伝導の理論的研究 : κ型ET塩FETに対する実験結果との比較(24pRB 領域7,領域8合同 モット転移,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 23aXA-1 非断熱状態変化を用いた量子干渉計(23aXA 量子細線・グラフェン,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 24aTH-3 2次元チャネルによるInAs自己形成ドットのコンダクタンススペクトロスコピー(量子ドット(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 20pRC-11 単一InAs自己形成量子ドットにおける電子g因子の異方性の観測(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 24pWQ-9 縦型二重量子ドットにおける核スピン分極の高速電圧制御(24pWQ 量子ドット,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
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