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東北大学際センター | 論文
- 22pPSA-21 ZnO エピタキシャル薄膜における高密度光励起キャリアの緩和と拡散
- 17pRE-5 ZnOエピタキシャル薄膜における励起子・励起子分子のダイナミクス
- 28pYA-10 ZnOエピタキシャル膜における高密度キャリアによるバンドギャップのエネルギーシフト
- 有機半導体PTCDAの水素終端Si(111)表面上でのヘテロエピタキシャル構造(有機結晶)
- Ni(111)上の六方晶系窒化ホウ素膜の安定性
- 基板結晶上のステップを用いた有機半導体PTCDA薄膜結晶粒の配向制御(有機結晶)
- 22aTB-9 ボトムコンタクトFETにおける電極 : ペンタセン界面の接合形態と輸送特性(22aTB 有機FET1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26aYC-6 ペンタセン超薄膜のモルフォロジー変化のLEEMによるin-situ観測(26aYC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pXD-5 高分解能低速電子線回折による半金属Biナノ薄膜の構造相転移観察(表面・界面ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 28pPSB-38 Bi(001) エピタクシャル超薄膜の構造安定性及び表面融解メカニズム
- 17aTF-1 Para-nitroaniline結晶の白色ラウエトポグラフ観察
- 原子数をそろえた1nm半導体粒子の特徴と展望
- Co-12Cr-2Ta薄膜の3次元アトムプローブ分析
- アトムプローブによる非晶質合金のナノ結晶化の研究
- 三次元アトムプロ-ブとその応用
- Mn, Ag添加7000系合金のアトムプローブ分析
- 半導体表面とペンタセン薄膜間の界面形成過程の微視的構造観察
- 極薄シリコン酸化膜におけるストレスリーク電流の物理的起源,AWAD2006)
- 極薄シリコン酸化膜におけるストレスリーク電流の物理的起源
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