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東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター | 論文
- 21aHV-8 GaAs/AlGaAs(311)Aヘテロ構造二次元正孔系における量子ポイントコンタクト/量子ドット構造の作成と評価(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pXD-10 二次元正孔系のスピン共鳴とスピン軌道相互作用II(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 27pTX-3 二次元正孔系のスピン共鳴とスピン軌道相互作用(27pTX 量子ホール効果/半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pYK-6 二次元正孔系のスピン共鳴(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- (Ga, Mn)As MTJにおけるスピン注入磁化反転
- 依頼講演 Fabrication of a nonvolatile lookup-table circuit chip using magneto/semiconductor-hybrid structure for an immediate-power-up field programmable gate array (集積回路)
- 29pTX-6 半導体核スピンのコヒーレント制御と光検出(29pTX 領域4,領域5合同シンポジウム:光で探る半導体スピンダイナミクス,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 2008年固体素子と材料に関する国際会議(SSDM 2008)報告
- 22aWB-7 強磁性半導体(Ga,Mn)Asにおける磁壁のクリープ運動(実験)(微小領域磁性,領域3,磁性,磁気共鳴)
- 14項 ナノ・スピン工学研究会(3節 工学研究会,第5章 国際会議・シンポジウム等)
- (Ga,Mn)As・(In,Mn)Asにおける磁性の電界制御
- 14項 ナノ・スピン工学研究会(3節 工学研究会,第5章 国際会議・シンポジウム等)
- 14項 ナノ・スピン工学研究会(3節 工学研究会,第5章 国際会議・シンポジウム等)
- 強磁性半導体における磁壁の電流駆動
- 半導体スピントロニクス : 強磁性半導体を中心として
- MTJ素子を用いた高密度・低電力不揮発Logic Elementの構成(低消費電力技術,集積回路とアーキテクチャの協創〜ノーマリオフコンピューティングによる低消費電力化への挑戦〜)
- 2-2 シリコン不揮発性メモリ技術の限界を突破するスピントルク注入形磁気メモリの最新動向(2.不揮発性メモリ技術の最前線,世界的な競争領域にある最先端デバイス技術)
- MTJベース完全並列形不揮発TCAMの設計(依頼講演,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 3端子磁壁移動型セルを用いた不揮発性コンテントアドレッサブルメモリ(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 7 スピントロニクスを用いた集積回路と省エネ社会への貢献(東北から明るい未来を創るICT技術)
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