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東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター | 論文
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- スピン論理集積回路における基本ゲートの高信頼化技術(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 32ビット細粒度パワーゲーティングを使った不揮発性混載用1Mb 4T2MTJ STT-RAM : 1.0ns/200psのWake-up/Power-off時間を達成(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- シリコン不揮発性メモリ技術の限界を突破するスピントルク注入形磁気メモリの最新動向
- AT-1-3 MTJ素子を用いた不揮発ロジックインメモリLSIの展望(AT-1.超低消費電力システムを実現する不揮発メモリの基本と動向,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)