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東京工業大学 大学院理工学研究科 電子物理工学専攻 | 論文
- C-12-57 Noise Effects Caused by Settling Time Optimization in Switched-Capacitor Circuit
- C-12-39 Class-C VCOを用いたクロック発生器の位相雑音特性の解析(発振器,C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-38 0.5V駆動LSIの実現に向けたLC型発振器によるクロック発生の検討(発振器,C-12.集積回路,一般セッション)
- 希土類-遷移金属薄膜を利用した垂直 Hall-MRAM 素子の提案
- 強磁性ホール効果によるRE-TM膜の補償組成近傍の磁気特性評価
- 高密度磁気 Hall メモリ素子用Dy_x(Fe_Co_)_垂直磁化膜
- 強磁性ホール効果によるCo/Pd多層膜の磁化機構評価(磁気記録)
- C-7-4 強磁性ホール効果によるCo/Pd多層膜のPd層厚依存性の評価(C-7.磁気記録)
- 強磁性ホール効果によるCo/Pd多層膜の磁化機構評価
- 強磁性ホール効果による[Co/Pd]_n多層膜の磁性粒子間相互作用評価(磁気記録媒体)
- 強磁性ホール効果による記録層/裏打ち層2層垂直磁気記録媒体の磁化機構評価
- 強磁性ホール効果による[Co/Pd]_n多層膜の磁化粒子間相互作用評価
- C-12-27 トランジスタの寄生容量を考慮した電圧制御発振器の最適設計手法の検討(RF(2),C-12.集積回路,一般セッション)
- 素子の微細化がアナログCMOS回路に及ぼす影響についての研究 : CMOS演算増幅器及びパイプライン型ADC性能のデザインルール依存性(アナログ・デジアナ・センサ, 通信用LSI)
- フェライトめっきFe微小球をプレス成型した複合コア材料の高周波透磁率
- 高異方性磁界を有するFe-Co-B大飽和磁化軟磁性裏打ち層の開発
- 高異方性磁界を有するFe-Co-B大飽和磁化軟磁性裏打ち層の開発(垂直記録及び一般)
- 高飽和磁化と超高異方性磁界を持つ軟磁性薄膜の作製技術 : 500 Oe以上の異方性磁界を持つFe-Co-B軟磁性薄膜(新技術・新製品)
- C-7-5 Disk径方向に高異方性磁界を有するFe-Co-B/Ni-Fe/Si裏打ち軟磁性層の作製(C-7.磁気記録)
- 垂直磁気記録媒体の強磁性ホール効果を利用した磁気的相互作用の評価(磁性薄膜及び一般)