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東京工業大学電気電子工学専攻 | 論文
- a-Si表面回折格子を有する1550nm波長帯横方向電流注入型DFBレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 楕円ビームラジアルラインスロットアンテナの基礎検討(一般, マイクロ波ミリ波帯におけるアンテナ・伝搬技術,一般)
- A・P2000-32 / SAT2000-29 / MW2000-32 等価端部電磁流によるエッジ回折の時間領域解析
- 等価端部電磁流によるエッジ回折の時間領域解析
- 等価端部電磁流によるエッジ回折の時間領域解析
- B-1-211 光検出器を用いたミリ波帯小型アンテナ指向性近距離測定の基礎検討(B-1. アンテナ・伝播C(アンテナシステム),一般セッション)
- B-1-88 スペクトル領域グリーン関数を用いたリッジ導波管の固有値解析(B-1. アンテナ・伝播B(アンテナ一般),一般セッション)
- C-3-49 BCB埋め込み温度無依存SiスロットMZI型波長フィルタの高速信号伝送(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- A-10-3 頭部伝達関数の多重極展開における角度方向関数の二次補間法(A-10.応用音響,一般セッション)
- C-3-50 オンチップ光配線に向けた光導波路作製(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 細線状活性層を有する低消費電力分布反射型レーザの広変調帯域(>25Gbit/s)動作(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 細線状活性層を有する低消費電力分布反射型レーザの広変調帯域(>25Gbit/s)動作(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 1.3μm波長帯A1GaInAs/InP埋め込みヘテロ構造トランジスタレーザの室温連続発振(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 1.3μm波長帯A1GaInAs/InP埋め込みヘテロ構造トランジスタレーザの室温連続発振(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 1.3μm波長帯A1GaInAs/InP埋め込みヘテロ構造トランジスタレーザの室温連続発振(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 1.3μm波長帯A1GaInAs/InP埋め込みヘテロ構造トランジスタレーザの室温連続発振(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- Estimation and measurement of Cylindrical wave propagation in Honeycomb for the use in mm-wave RLSA (放送技術)
- C-3-91 金属側壁層を有するInP系プラズモニック導波路の作製評価(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-39 温度無依存BCB埋め込みSiスロットリング共振器を用いたドロップフィルタ(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-38 多層アモルファスシリコン細線導波路間の信号伝送用グレーティングカプラ(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
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