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東京工業大学工学部無機材料工学科 | 論文
- 2D04 CVD 法による Si 基板上へのケイ酸ビスマス薄膜の作製
- エトリンガイドの炭酸化反応
- 2F22 アルミン酸バリウム系化学結合セラミックスの作製
- 2C16 水熱法による PZT 薄膜の作製
- 水熱合成粉末を用いた配向性PZT焼結体の作製
- PLZT焼結体の透光性に与える共沈ゲルの乾燥条件の影響 : 合成・キャラクタリーゼーション
- PZT結晶粉末の水熱合成と焼結体の圧電的性質
- Mg^を添加したNH_4^+-β-ガレートのイオン導電率(導電性セラミックス)
- 水熱法による半導性PZT固溶体の合成と焼結体の電気機械的性質(酸化物系導電セラミックス)(導電性セラミックス)
- Li_2B_4O_7の熱ルミネセンスの発光機構
- β"-アルミナ型NH^+_4-ガレートのイオン導電率
- PLD法によるSiO_2/Si(001)基板上エピタキシャルYSZ薄膜の室温合成(セラミックスインテグレーション)
- Si(001)基板上へ成膜したイットリア安定化ジルコニア(YSZ)薄膜の初期のエピタキシャル成長過程へのSiO_2層厚さの影響
- パルスレーザー蒸着法によるSi(001)上へのYSZ薄膜のヘテロエピタキシャル成長に及ぼす酸素分圧とレーザーエネルギー密度の影響
- 低熱ポルトランドセメント硬化体の炭酸化反応
- セラミックスの絶縁破壊の新評価理論
- 日本粘土学界の発展をねがって
- (Ba_xSr
- カオリナイトの焼成時に生成するムライトのX線的研究
- G. W. Brindley博士東京工大客員教授として来日