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東京工業大学大学院 総合理工学研究科 | 論文
- TSPにおける大域的多様性を考慮したGA
- TSPに対する枝組み立て交叉の挙動の分析
- 巡回セールスマン問題に対する交叉 : 枝組み立て交叉の提案と評価
- (Nb)/(Nb, Ti)_5 Si_3 二相合金の機械的性質に及ぼすラメラー間隔の影響
- 高炭素鋼鉄道車輪における超微細組織の形成
- 周期タッピング及び交互タッピングにおけるタイミング制御機構の解析と比較
- 同期タッピングにおける予測的タイミング機構の時系列解析 : 認知的過程と身体的過程の二重化されたダイナミクス
- 共鳴トンネルダイオードとスロットアンテナを用いたミリ波・サブミリ波発振素子の発振特性とバイアスによる周波数可変性(テラヘルツ帯応用を開拓する材料・デバイス・システム技術)
- 共鳴トンネルダイオードとスロットアンテナを用いたミリ波・サブミリ波発振素子の発振特性とバイアスによる周波数可変性
- SiナノワイヤへのNiシリサイド形成と過剰な侵入とその抑制に関する検討(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 共鳴トンネルダイオードによるサブテラヘルツ : テラヘルツ発振器
- 位相応答曲線の統計的推定(機械学習によるバイオデータマイニング)
- 位相応答曲線の統計的推定(機械学習によるバイオデータマインニング)
- ダイアグラムに基づく法的論争支援システム
- EOT=0.5nmに向けた希土類MOSデバイスの高温短時間熱処理の検討(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- Si基板上弗化物系サブバンド間遷移レーザの理論解析
- Si基板上弗化物系サブバンド間遷移レーザの理論解析(シリコン系量子効果デバイス,量子効果デバイス及び関連技術)
- Si基板上弗化物系サブバンド間遷移レーザの理論解析(シリコン系量子効果デバイス,量子効果デバイス及び関連技術)
- ナノ領域成長を用いたSi(100)基板上弗化物系共鳴トンネルダイオード(光・電子ナノデバイス)
- Si基板上(CdF_2/CaF_2)サブバンド間遷移レーザ構造のEL発光特性(光・電子ナノデバイス)