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東京大学大学院マテリアル工学専攻 | 論文
- 金属/ゲルマニウム界面のフェルミレベルピンニングとその制御性(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- GeO_2/Ge界面反応の理解に基づくGeO_2膜物性の劣化現象の制御(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 水素雰囲気下で蒸着することによるペンタセンTFTの移動度の向上(センサー,デバイス,一般)
- GeO_2/Ge界面制御によるGe-nMOSFETsの電子移動度の向上 : Siユニバーサルカーブを超える移動度特性の実証(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- Al-Mg-Si系合金の水素脆化に及ぼす組成の影響
- Al-Mg-Si系合金の低歪速度試験
- CrまたはZrを含有するAl-Zn-Mg-Cu系合金の大気環境脆化
- Al-Mg-Si系合金の水素脆化に及ぼすCu添加の影響
- Al-Mg-Si系合金の大気環境脆化に及ぼす過剰Si量の影響
- 市販Al-Mg-Si系合金における低歪速度引張試験
- Siを過剰に含むAl-Mg-Si系合金の大気環境脆化の機構に関する考察
- Al-Mg-Si系合金の大気環境脆化
- Al-Mg-Si系合金の水素脆化
- Ge-CMOSに向けた界面の制御と課題
- Ge CMOSに適したチャネル界面パッシベーション(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 2.グラフェンFETの界面に対する理解と制御(ナノデバイス)
- グラフェン/SiO_2基板相互作用に対する理解と制御
- 基板からみたGe n-MOSFETsにおける電子移動度の考察(先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集))