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明星大学情報学部電子情報工学科 | 論文

• (0001)Al_2O_3基板上GaN成長層の極性に対する初期成長条件の影響
• MOCVD法によるGaN成長におけるバッファ層堆積条件の検討
• InGaNバッファ層を用いたGaAs(100)基板上InGaN成長
• MOVPE法によるGaAs基板上InP成長
• MOVPE法によるGaAs基板上InP成長
• 減圧MOCVD法によるZnS成長の基板面方位依存性

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