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日立 中研 | 論文
- 量子井戸導波路における励起子ポラリトン
- グレーティング付き光導波路中の励起子ポラリトン
- 励起子ポラリトンの素子応用の可能性
- 30p-A-3 光導波路系における量子井戸励起子ポラリトン効果とエネルギー伝播 : 偏光依存性
- 3)励起子ポラリトンの基礎と応用(情報入力研究会)
- 励起子ポラリトンの基礎と応用 : 情報入力
- 25a-X-8 GaAs量子井戸光導波路における励起子の電界効果2
- ポラリトンを用いた新しい電子・光複合機能素子
- 2a-X-6 GaAs量子井戸光導波路における励起子の電界効果
- 2a-X-2 量子井戸導波路系における励起子ポラリトン効果
- 1p-N-11 GaAs量子井戸光導波路における励起子発光 II
- 量子井戸光導波路を伝播する励起子ポラリトン
- 6a-B-4 GaAs量子井戸光導波路からの励起子発光
- 6a-B-3 GaAs量子井戸光導波路における光パルス相関
- 4a-C3-16 GaAs/AlGaAs量子井戸中の励起子ポラリトン
- AG-ANDフラッシュメモリにおける多値高速書込み技術 : 多値レベルに応じて最適容量を選択する改良型定電荷注入書込み方式(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- 多値高速書込み性能10MB/sを実現する4ギガビットAG-ANDフラッシュメモリ(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般, ISSCC特集3 不揮発性メモリ)
- 4Gb AG-ANDフラッシュメモリにおいて16MB/sを実現する多値高速書込み技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 10MB/s多値高速書込み実現のための1Gb AG-AND型フラッシュメモリセルデバイス技術(MRAM,不揮発メモリ,メモリ,一般)
- コンテンツ配信用ギガスケールAG-AND型フラッシュメモリセル
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