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日立機械研究所 | 論文
- 半導体デバイスにおけるシリコン基板転位発生予測手法の提案 : 転位発生限界値のデバイス構造依存性
- シリコン基板内応力特異場における転位発生強度の酸素濃度依存性
- 球圧子を用いたシリコン基板の転位発生強度評価法
- 半導体デバイスにおけるシリコン基板転位発生予測手法の提案
- 薄膜の内部応力を考慮したトランジスタ構造の応力解析方法の検討
- シリコン熱酸化過程における応力解析
- 表面に浅溝構造を有するシリコン基板の選択酸化後残留応力評価
- アモルファスシリコン薄膜における結晶化誘起応力の検討
- 2812 X 線回折を用いたシリコンウエハの研削ダメージ評価法の検討
- 薄膜磁気ディスク表面とヘッド間に発生する結露現象のモデル提案とその実験的検証
- ヘッドディスクインタフェース技術の動向(ハードディスクドライブおよび一般)
- 炭化けい素の静疲労強度に及ぼす温度の影響
- 熱酸化プロセスにおけるシリコン基板残留応力の検討
- デジタルパブリックアートのための磁石を用いた簡便なひずみ計測に関する実験的検討
- 219 マイクロ圧電アクチュエータによる磁気ヘッドスライダ摩擦制御および浮上量調整
- 2311 極低浮上におけるパーシャルコンタクトスライダの開発(要旨講演,情報機器コンピュータメカニクス2)
- 2307 分子間力に及ぼすスライダ表面粗さ及びテクスチャの影響(要旨講演,情報機器コンピュータメカニクス2)
- 2102 磁気ヘッド素子突出低減のための熱変形解析(第3報)(要旨講演,情報機器コンピュータメカニクス1)
- 2637 磁気ヘッド素子突出低減のための熱変形解析
- 3228 圧電マイクロアクチュエータによる浮上量制御スライダの開発(第 2 報)