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日本電気(株) Ulsiデバイス開発研究所 微細加工技術開発部 | 論文

• EB部分一括露光マスクにおける電子散乱
• 0.15μm部分一括EB直描技術
• 斜めビット線配置COBスタックキャパシタ1GDRAMセル
• 部分一括描画法におけるクーロン効果の検討
• 電子ビーム露光技術の現状と展望

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