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日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所 | 論文
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- 微細MOSFET中のキャリア伝導
- ナノスケールMOSトランジスタと多値単一電子メモリの研究 (特集:Siナノデバイス)
- 14nmゲートEJ-MOSFETの作製と電気的特性の評価
- 電気化学反応を用いた金属ナノワイヤーの形成とそのデバイス応用
- LSI回路の再構成を可能とするナノブリッジ (ナノテクノロジー特集) -- (エレクトロニクス・フォトニクス)
- 固体電解質メモリー
- 14 nmゲート EJ-MOSFETの作製と電気的特性の評価
- 30p-Q-11 強磁場下クローン振動の遠赤外光応答
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- 7a-N-4 強磁場下量子ドットでのクーロン振動
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- ダイナミック協働型ドライブ技術を用いた双方向バスリピータの自動方向制御方式(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
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- ナノブリッジのCu配線への埋め込み技術(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- DVFSのための電圧ステップ幅制御およびリファレンス電圧制御を用いた高速電源電圧制御方式(学生・若手研究会)
- 柔軟かつ高速な再構成を実現した動的再構成ロジックLSI
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- 圧縮/伸張器混載DRAM
- リング状クロック線による低スキュークロック分配回路