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日本電信電話 | 論文
- シングルキャリア周波数領域等化技術による波長分散補償(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- シングルキャリア周波数領域等化技術による偏波モード分散補償(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- シングルキャリア周波数領域等化技術による波長分散補償(OCS20周年記念,超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- シングルキャリア周波数領域等化技術による偏波モード分散補償(OCS20周年記念,超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- B-10-73 ガードインターバルを用いない偏波多重コヒーレントOFDMによる50GHz ROADMノードを含む4.1Tb/s(50×88.8Gb/s)800km SMF伝送(B-10.光通信システムB(光通信),一般セッション)
- B-10-37 シングルキャリア周波数領域等化技術による偏波モード分散の補償(B-10.光通信システムB(光通信),一般セッション)
- B-10-36 高速光伝送におけるシングルキャリア周波数領域等化技術(B-10.光通信システムB(光通信),一般セッション)
- 第25回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム
- C-10-15 歪系In_Al_P/In_Ga_As HEMTにおける短チャネル効果の抑制(C-10.電子デバイス)
- C-doped GaAsSb におけるCアクセプタ水素不活性化の成長温度依存性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- C-doped GaAsSbにおけるCアクセプタ水素不活性化の成長温度依存性(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- C-doped GaAsSbにおけるCアクセプタ水素不活性化の成長温度依存性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 高ピーク電流密度・高PV比を有するMOVPE成長InP系共鳴トンネルダイオード
- MOCVDを用いた歪み系In_Ga_As/AlAs RTDの高性能化
- C-10-3 超高速ディジタル回路用共鳴トンネルダイオード特性
- B-10-49 光ファイバボビンの振動による高速偏波変動(B-10.光通信システムB(光通信),一般講演)
- 40/100ギガビットEthernet技術
- 21006 宮城県沖の地震における建物の地震時応答 : その3 2005年8月16日強震観測記録を用いた高層建物の地震応答解析(宮城県沖の地震, 構造II)
- 帯域保証ネットワークにおけるTCPの通信効率向上のためのレート制御手法(セキュリティ・トレーシング)
- セル廃棄率の漸近的振る舞いを利用したセル廃棄率推定法/VP容量制御
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