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日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所 | 論文
- 窒化物半導体への高濃度p型不純物ドーピングとヘテロ接合バイポーラトランジスタへの応用 (特集論文1 窒化物ワイドギャップ半導体電子デバイス)
- 27pHD-8 2重量子ドット中での不均一な動的核スピン偏極に伴う伝導の増大(27pHD 若手奨励賞・量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aTL-3 InAsナノワイアにおけるラシュバスピン軌道相互作用のゲート電界制御(21aTL 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21pED-5 超伝導量子ビットを用いた量子ゼノン効果(21pED 量子エレクトロニクス(量子通信・量子情報・エンタングルメント・デコヒーレンス),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 22aTL-11 グラフェン ランダウ ファン ダイアグラムに現れる界面準位の影響(22aTL グラフェン/ディラック電子系,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- IN(Ga)As積層量子ドット構造におけるキャリア注入/放出特性のDLTS評価
- 23aSA-11 長いコヒーレンス時間をもつ量子ビット作成の検討
- 24aK-7 帯電効果のある「超伝導体/常伝導体」微小接合におけるCooper対
- S-N-S接合におけるファブリー・ペロー干渉の研究
- 27p-X-12 S-N-S接合におけるファブリー・ペロー干渉の研究
- 5a-J-14 S/N/S接合におけるUCF
- 2p-YE-4 超伝導近接効果の非局所的計算
- 5a-J-14 S/N/S接合におけるUCF
- 1p-T-14 アンドレーエフ反射の第2量子化表示II
- 28p-P-3 アンドレーエフ反射の第2量子化表示
- 27a-B-6 アンドレーエフ反射で制御される準粒子干渉計
- 27p-W-11 Nb/InAs/Nb超伝導接合におけるサブギャップ構造
- 25a-ZB-8 n^+-GaAs/GaAs/InAs/Nb系のトンネル分光
- 表面過飽和度制御によるGaNステップフリー面の形成(次世代素子のための窒化物結晶成長新機軸)
- 18aPS-10 二次元フォトニック結晶レーザにおける光の帰還作用