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日本電信電話株式会社フォトニクス研究所 | 論文
- InP/InGaAs新構造 Avalanche photodiode の高増倍率動作
- 超高Δ石英系導波路に於ける紫外光誘起屈折率変化(光部品・光デバイスの実装・信頼性,一般)
- 超高Δ石英系導波路に於ける紫外光誘起屈折率変化(光部品・光デバイスの実装・信頼性,一般)
- 超高Δ石英系導波路に於ける紫外光誘起屈折率変化(光部品・光デバイスの実装・信頼性,一般)
- シリコン-石英ハイブリッド熱光学スイッチによる低消費電力化(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
- 偏波多重信号の時間分解解析を基本としたミュラー行列と偏波モード分散の高速測定
- C-3-24 超高Δ石英系 PLC による小型アサーマル AWG
- B-10-65 マルチステージ型非線形補償を用いた120Gb/s偏波多重64-QAMの1,280km伝送(B-10. 光通信システムB(光通信方式,光通信機器,デバイスのシステム応用,光通信網・規格),一般セッション)
- C-4-15 半導体マッハツェンダ光変調器を用いた光サブキャリア生成の解析(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-21 100GbE用EADFBレーザアレイの高出力化(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-13 デュアルドライブInP半導体MZMを用いた16QAM変調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- CI-1-2 光励起電流法を用いた半導体レーザの劣化解析(CI-1.光能動デバイス・装置を支える信頼性・安全性技術,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- C-3-13 InP導波路型偏波制御技術の開発(導波路デバイス(I),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- マルチディグリーROADMにおけるクロストーク要因の検討(コア・メトロシステム,フォトニックネットワーク・システム,光ネットワーク運用管理,光ネットワーク設計,トラヒックエンジニアリング,シグナリング,GMPLS,ドメイン間経路制御,ネットワーク監視,イーサネット,光伝達網(OTN),高速インタフェース,光制御(波長変換・スイッチング・ルーチング),光ノード技術,光クロスコネクト(OXC),光分岐挿入多重(OADM),光多重・分離装置,光信号処理,光スイッチ素子,一般)
- C-3-33 ヘテロジニアス技術による高速InP-PD集積型石英系PLCデバイス(光送受信モジュール・デバイス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- CI-1-7 モノリシック集積型半導体光増幅器(SOA)の信頼性(CI-1.光能動デバイス・装置を支える信頼性・安全性技術,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- C-4-16 InP基板上n-i-p-n構造における位相変調効率のストライプ方向依存性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- ディジタルコヒーレント通信用狭線幅半導体レーザー
- 2樹脂方式によるアサーマルAWGの残留2次温度特性の低減(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 2樹脂方式によるアサーマルAWGの残留2次温度特性の低減(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
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