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日本電信電話株式会社、NTTフォトニクス研究所 | 論文
- InP-IC応用に向けた新スタック型MIMキャパシタ(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- C-10-17 高周波用スタック型キャパシタの高Q値化(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-14 0.5-μm InP HBTによる低消費電力50-Gb/s D-FF(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- B-10-73 平面光波回路を用いた広利得可変域EDFA(B-10. 光通信システムB(光通信方式,光通信機器,デバイスのシステム応用,光通信網・規格),一般セッション)
- C-10-9 InP-ICの3次元集積化に向けた基板貫通ヴィアの高周波特性(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- MOCVD成長CドープInGaAsSbベース低ターン・オン電圧動作ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
- C-10-7 0.5μm InP HBTを用いた50Gbit/s差動出力リミッティングアンプIC(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- B-10-116 NF変化の小さな利得可変光増幅器によるSNR改善効果の一考察(B-10.光通信システムB(光通信方式,光通信機器,デバイスのシステム応用,光通信網・規格),一般セッション)
- MOCVD成長狭バンドギャップInGaAsSbベースを有する低ターン・オン電圧動作ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- MOCVD成長狭バンドギャップInGaAsSbベースを有する低ターン・オン電圧動作ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- B-13-46 バンドル型光ファイバアンプの実現に向けた細径EDFの検討(B-13.光ファイバ応用技術,一般セッション)
- C-10-6 0.5-μm InP HBTによる60-GS/s超高速D/A変換器(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 0.5-μm InP HBTによる光通信用60-GS/s D/A変換器(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- 0.5-μm InP HBTによる光通信用60-GS/s D/A変換器(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- C-10-12 A low-power wideband InP-HBT 2^7-1 PRBS Generator
- C-10-11 InP-HBT-IC安定化のための基板貫通グランドヴィア形成プロセス(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- B-13-2 細径EDFを用いたバンドル型光ファイバ増幅器の増幅特性(B-13.光ファイバ応用技術,一般セッション)
- マルチコア伝送用のバンドル型光ファイバアンプの検討(【光ファイバ伝送路】光ファイバケーブル・コード,通信用光ファイバ,光ファイバ線路構成部品,光線路保守監視・試験技術,接続・配線技術,光ファイバ測定技術,光コネクタ,ホーリーファイバ,機能性光ファイバ,光信号処理,光ファイバ型デバイス,光測定器,レーザ加工,ハイパワーレーザ光輸送,光給電,一般)
- B-10-95 ダブルクラッド・マルチコアEr/Yb添加ファイバ増幅器(3) : 励起/信号コンバイナモジュール(B-10.光通信システムB(光通信方式,光通信機器,デバイスのシステム応用,光通信網・規格),一般セッション)
- B-10-94 ダブルクラッド・マルチコアEr/Yb添加ファイバ増幅器(2) : 増幅特性・クロストーク特性(B-10.光通信システムB(光通信方式,光通信機器,デバイスのシステム応用,光通信網・規格),一般セッション)
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