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日本電信電話(株) Nttフォトニクス研 | 論文
- InP-IC応用に向けた新スタック型MIMキャパシタ(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- C-10-17 高周波用スタック型キャパシタの高Q値化(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-9 InP-ICの3次元集積化に向けた基板貫通ヴィアの高周波特性(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-13 フィードスルー型パッケージを用いた超高速InP-HBT DACモジュール(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- C-10-11 InP-HBT-IC安定化のための基板貫通グランドヴィア形成プロセス(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- C-3-30 VOA集積・小型デジタルコヒーレント光受信器(C-3.光エレクトロニクス)
- C-3-29 DP-QPSK信号受信用ヘテロジニアス集積型PLCの小型高機能化(C-3.光エレクトロニクス)
- C-10-5 サブミリ波帯InP-IC向けウェハレベル裏面プロセス(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-10 28Gbit/s級ドライバ回路実現に向けたプリエンファシス機能の基本検討(C-10.電子デバイス)
- InP MZM向け低消費電力線形ドライバモジュール(一般講演,パワーデバイス及び超高周波デバイス/マイクロ波一般)
- InP MZM向け低消費電力線形ドライバモジュール(一般講演,パワーデバイス及び超高周波デバイス/マイクロ波一般)