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日本電信電話(株)光エレクトロニクス研究所 | 論文
- 石英系熱光学スイッチにおける位相トリミング技術
- 位置制御自己組織化成長法による三次元周期半導体構造
- 半導体結晶成長における自己集合化と自己組織化-GaAs(311)面上のInGaAsナノ構造形成-
- J-down狭放射角InGaAs/AlGaAs歪量子井戸LDの高出力特性
- 高出力波長安定化1.016μm歪InGaAs-LDモジュール
- 自己組織化InGaAs歪量子デイスクと半導体レーザ応用 (招待講演)
- 狭放射角InGaAs歪量子井戸レーザとコア拡大付FBGとの高効率結合
- GaAs(311) B基板上のInGaAs自己組織化現象と極微細レーザーへの応用
- ファイバブラッググレーテイングによる波長安定化1.016μmInGaAs歪量子井戸レーザと1.3μm帯Prドープ光ファイバ増幅器への応用
- B-12-17 PLCデバイスを用いた多階層光クロスコネクトノード装置伝送試験(B-12.フォトニックネットワーク,一般セッション)
- プラグインタイプ1.3μm帯光ファイバ増幅器の開発
- プラグインタイプ1.3μm帯光ファイバ増幅器の開発
- プラグインタイプPDFAモジュールの開発
- 自己組織化InGaAsひずみ量子ディスクレーザー
- フルウェハプロセスによる高出力1.02μm InGaAs歪量子井戸レーザダイオード
- 高利得・1.3μm帯ファイバ型光増幅器
- 1.3μm帯Pr^添加ふっ化物ファイバ増幅器の増幅諸特性
- 高利得・半導体レーザ励起1.3μm帯光ファイバ増幅器
- 1.3μm 帯光ファイバー増幅
- a-Si膜装荷型チャンネル間隔10GHzアレイ導波路格子