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日本電信電話(株)マイクロシステムインテグレーション研究所 | 論文
- 凹面ミラーを用いた512×512ポート3D-MEMS光スイッチモジュール(フォトニックNWシステム・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- MEMSミラーのスイッチング制御アルゴリズムの開発(フォトニックNWシステム・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 光通信用ポリイミドを用いた光部品の作製と特性(光波ネットワーク・光アクセスに向けた光波デバイス,光集積回路,一般)
- C-3-42 光通信用ポリイミドを用いた光部品の作製と特性[IV] : ポリイミドWDMを用いたスケーラブルネットワーク(ポリマーデバイス)(C-3.光エレクトロニクス)
- C-3-40 光通信用ポリイミドを用いた光部品の作製と特性[II] : 全フッ素化ポリイミドを用いた光導波路とCWDMへの適用(ポリマーデバイス)(C-3.光エレクトロニクス)
- C-3-39 光通信用ポリイミドを用いた光部品の作製と特性[I] : 光学用ポリイミド基板と光導波路への適用(ポリマーデバイス)(C-3.光エレクトロニクス)
- KTN結晶導波路を用いた高効率位相変調器
- KTN結晶導波路を用いた高効率位相変調器(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,集積光回路,半導体光導波路素子,PLC,ファイバ型デバイス,導波路解析,その他)
- RF-CMOSの回路技術と将来展望
- 光学用ポリイミド基板を用いた光導波路の作製と特性(光機能有機材料・デバイス,光非線形現象,一般)
- C-10-2 低ジッタ50Gbit/sダイナミック型識別回路(C-10.電子デバイス)
- C-10-4 ロック検出機能付き 39-45Gbit/s CDR 回路
- 新しいロック検出器を用いた39-45Gbit/sマルチレート対応クロック・データ再生回路(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- C-10-8 InP HBT による 43Gbit/s CDR IC
- SC-7-6 InP HBTによる40Gbit/s CDR IC
- SC-7-5 InP/InGaAs HBT技術を用いた高感度・低消費電力43Gbit/s識別回路
- C-12-7 データパタン無依存10Gbit/sCDRIC
- 2モード位相比較器を用いたデータパタン無依存CDR回路
- 並列光インタコネクションモジュール用ポリマー光導波路部品
- 集積化CMOS-MEMS技術
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