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日本原子力研究開発機構量子ビーム応用研究部門 | 論文
- 27pEH-10 アモルファスGeカルコゲナイド薄膜への銀の光拡散の中性子反射率測定による研究(27pEH 領域5,領域1合同 メタマテリアル・プラズモニクス・顕微・近接場分光・表面,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 45 大気中CO_2濃度がトマト光合成産物の動態に与える影響(関東支部講演会,2011年度各支部会)
- 26aXZB-7 J-PARC偏極中性子反射率計の現状と展望I(26aXZB 領域10,ビーム物理領域合同 X線・粒子線(中性子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 27pEH-10 アモルファスGeカルコゲナイド薄膜への銀の光拡散の中性子反射率測定による研究(27pEH 領域5,領域1合同 メタマテリアル・プラズモニクス・顕微・近接場分光・表面,領域5(光物性))
- 27aXZA-4 軟X線プローブによるフェムト秒レーザーアブレーション過程の直接観測(II)(27aXZA 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pEJ-1 軟X線レーザーを用いた金属におけるレーザーアブレーションダイナミクスの観測(28pEJ 超高速現象,領域5(光物性))
- 26aXZB-7 J-PARC偏極中性子反射率計の現状と展望I(26aXZB 領域10,ビーム物理領域合同 X線・粒子線(中性子),ビーム物理領域)
- 27pEB-3 磁気ボトル型電子分光器を用いたX線レーザーとXeガス相互作用に伴う電子スペクトル計測(27pEB 合同B:領域1(原子分子)・ビーム物理(高強度レーザー・FEL・放射光),ビーム物理領域)
- C-12-39 0.2-μmFD-SOIプロセスで作られた位相同期回路の放射線耐性評価(メモリ及びデバイス・回路強調設計技術,C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-28 民生用FPGAにおける放射線起因エラーの評価(LSIアーキテクチャ,C-12.集積回路,一般セッション)
- 27pKB-6 超高強度超短パルスレーザーの薄膜照射で発生する電子スペクトル計測(プラズマ基礎・プラズマ科学(高強度レーザー・粒子加速・THz光源・X線レーザー),領域2(プラズマ基礎・プラズマ科学・核融合プラズマ・プラズマ宇宙物理))
- 27pKB-5 高コントラスト超高強度短パルスレーザーJ-KARENによるレーザー駆動イオン加速実験(プラズマ基礎・プラズマ科学(高強度レーザー・粒子加速・THz光源・X線レーザー),領域2(プラズマ基礎・プラズマ科学・核融合プラズマ・プラズマ宇宙物理))
- OS0201 2次元検出器による内部応力評価法(放射光およびEBSD法による材料評価,OS-2 回折法による材料評価)
- 28aJB-9 Pt表面におけるフェムト秒レーザーアブレーション過程の分子動力学解析(表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28aJB-8 ピコ秒からサブマイクロ秒時間領域における金属のフェムト秒レーザーアブレーションダイナミクスの観測(表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 7aSN-7 H-Si(111)上に成長したSrO薄膜の構造と応力の同時観察(結晶成長・表面界面ダイナミクス,領域9)
- 4H-SiC MOS界面の電子スピン共鳴分光評価(SiC-MOSゲートスタック技術の進展,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 集合組織の測定・評価法(3)中性子回折法
- ヒトMAPキナーゼJNK1の立体構造・機能・安定性に対する遊離システイン残基の置換効果
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