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新日本無線 | 論文
- パルスマグネトロンにおけるスプリアス低減技術(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 低温成長GaNキャップ層エッジターミネーションを用いたシリコン基板上の高耐圧AlGaN/GaNショットキーバリアダイオード
- 低温成長GaNキャップ層エッジターミネーションを用いたシリコン基板上の高耐圧AlGaN/GaNショットキーバリアダイオード(パワーエレクトロニクス及び半導体電力変換一般)
- フリップチップ実装技術を用いた低位相雑音76GHz帯プレーナ構造ガンVCO(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-2-27 76GHz帯フリップチップガン発振器の温度特性改善(C-2. マイクロ波A(能動デバイス), エレクトロニクス1)
- C-2-17 76GHz帯フリップチップガンVCO(C-2. マイクロ波A(能動デバイス), エレクトロニクス1)
- C-2-13 超音波接合技術を用いた38GHz帯GaAsフリップチップガン発振器の試作
- C-2-9 GaAsフリップチップSBDを用いた76 GHz帯平面回路型シングルバランスミキサ
- 77GHz帯InPフリップチップガン発振器
- 女性労働者の健康管理の現況 : 産業医へのアンケート調査
- SSOP14 GaAs電力増幅器MMICの過渡熱抵抗評価
- 低温成長GaNキャップ層を有するAlGaN/GaN HFET
- CS-9-4 リセスゲート構造を有するLT-GaN/AlGaN/GaN HFET(CS-9. ワイドギャップ半導体電子デバイスの現状と今後の展開,シンポジウムセッション)
- 低温成長GaNキャップ層を用いたAlGaN/GaN HFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 低温成長GaNキャップ層を用いたAlGaN/GaN HFETの特性改善(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- コプレーナ線路を用いたV帯フリップチップガン発振器
- フリップチップ実装を用いたAIN基板上のV帯プレーナー構造ガンVCO
- AlN基板に実装した高性能V帯フリップチップガン発振器
- 某県市町村職員共済組合の職種別医療費に関する検討
- 法定外検診項目のスクリーニングとしての妥当性の検討