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徳島大学ソシオテクノサイエンス研究部 | 論文
- V_T-V_特性を用いたp-GaN上のAlGaN/GaN HFETバッファ層評価
- C-10-13 マイクロ波整流用GaNショットキーダイオードの特性評価(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- C-10-10 GaN/AlGaN/GaNフォトトランジスタを用いたUVセンサ回路(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-10-19 AlGaN/GaN HFETパルスI-V特性シミュレーション(C-10.電子デバイス)
- Copper-Gate AlGaN/GaN HEMTs with Low Gate Leakage Current
- オープンゲートFETによるAlGaN/GaN HEMT構造の表面準位測定
- Copper-Gate AlGaN/GaN HEMTs with Low Gate Leakage Current
- オープンゲートFETによるAlGaN/GaN HEMT構造の表面準位測定
- マイクロ波無線ユビキタス電源用GaNショットキーダイオードの開発(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ステップストレス測定によるAlGaN/GaN HFET電流コラプス解析(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- マイクロ波無線ユビキタス電源用GaNショットキーダイオードの開発(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ステップストレス測定によるAlGaN/GaN HFET電流コラプス解析(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- C-2-19 GaNショットキーダイオードを用いた大電力レクテナの研究開発(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- AlGaN/GaN HFETのゲートエッジ負帯電による電流コラプスの2次元数値解析
- 208 レーザーピーニング処理したアルミニウム合金の残留応力のレーザーパワー依存性(表面処理材等の応力測定,残留応力の評価と強度,オーガナイスドセッション3,第53期学術講演会)
- 3004 技術史教育「ルーツを探れ」の試みとその効果
- 3001 「たたら」製鉄におけるものづくり教育の試み
- 839 X 線応力測定用引張り試験機の開発と薄膜の機械的性質の評価
- 836 シンクロトロン放射光を用いた多層膜の内部応力評価
- 321 対向2極型PVD法による多層薄膜の作製とその力学的特性評価および微細構造解析(薄膜の創成と特性評価-II)(一般セッション)