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広島大学HiSIM研究センター | 論文
- 回路シミュレーション用IGBTモデル"HiSIM-IGBT"(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- リングオシレータを用いた製造ばらつきの解析
- MOSFETモデル評価用テスト回路(2) : 入力電圧の微少変化の増幅
- MOSFETモデル評価用テスト回路(1) : しきい値電圧付近の電流領域の評価
- リングオシレータを用いた製造ばらつきの解析
- コンパクトモデルの進化 : 表面ポテンシャルを用いたHiSIMモデルの特徴(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
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- SOI-MOSFETにおける基板浮遊効果のモデル化(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
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- 25aYG-13 量子ビットにおけるパルス制御を用いた緩和抑制(量子エレクトロニクス(量子光学),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 28pXG-15 量子ビットにおけるパルス制御を用いた縦緩和抑制の理論的研究(量子エレクトロニクス(量子情報理論))(領域1)