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広島大学ナノデバイス・システム研究センター | 論文
- 金属電極とHf系高誘電率絶縁膜界面の実効仕事関数変調機構
- 極薄ゲート酸化膜の擬似絶縁破壊が与える回路動作への影響(プロセス・デバイス・回路・シミュレーション及び一般)
- 極薄ゲート酸化膜の擬似絶縁破壊が与える回路動作への影響(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- バンク型マルチポートメモリを用いたスイッチアーキテクチャ(プロセッサアーキテクチャ)
- ソース・ドレーン領域に極薄SiN_x膜を形成したTFTドレーン電流の温度依存性(半導体材料・デバイス)
- C-3-48 チップ内光配線(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 31a-A-3 ポテンシャル障壁の時間変化に対するトンネル電流の動的応答
- 5p-N-2 量子ドットの動的現象に対する数値解析
- 30p-Q-17 量子ドットの動的現象に対する断熱近似とその拡張
- 28p-L-1 Wigner関数とLandauer公式
- 28p-L-1 Wigner関数とLandauer公式
- 13a-K-5 Wigner関数法と散乱理論法によるメソスコピック系の電気伝導
- 12p-DF-11 時間的に変化する外場中のクーロン・ブロッケード
- 13a-K-5 Wigner関数法と散乱理論法によるメソスコピック系の電気伝導
- C-3-10 Siリング光共振器を用いたバイオセンサ(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- Low-k/Cu技術の現状と将来動向(High Speed and Optoelectronic Technology II, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- 低誘電率層間絶縁膜中へのCuイオンドリフトによる絶縁破壊
- ルシフェラーゼによる生物発光を検出可能な高感度バイオフォトセンサの開発
- Tbit/sバンド幅実現のための高面積効率マルチポートメモリの開発
- C-12-82 新しい階層構造型アーキテクチャによる小面積マルチポートメモリの開発 : 第2階層