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工業技術院大阪工業技術研究所 | 論文
- 7a-S-8 SiCの結晶粒界の第一原理計算III : 界面の強度計算
- 28p-E-15 SiCの結晶粒界の第一原理計算 II
- SiCの結晶粒界の第一原理計算
- 界面の電子構造計算-半導体の結晶粒界と金属/セラミックス界面-
- 1a-M-10 セラミックス界面の第一原理計算 : SiC粒界とSiC/Al界面
- 29a-N-10 共役勾配法によるSiC/Al界面の第一原理計算
- 28p-N-1 半導体およびセラミックスの粒界・界面の理論計算
- 金属/セラミックス界面結合の理論的研究
- 計算化学II - 無機固体材料のミクロレベルシミュレーション -
- 205 炭化珪素の粒界酸化脆性に及ぼす微量添加元素の影響(学生賞セッションI)
- 3H20 SiC 粒界の極性界面の第一原理引っ張り試験
- 1I05 第一原理分子動力学法による炭化ケイ素粒界の強度予測
- 1D15 SiC 粒界の第一原理引っ張り試験
- 高純度アルミニウム中の鉛の表面偏析
- 金触媒上での低温CO酸化反応機構
- 担持金触媒上でのCO酸化反応機構について
- 高分子ゲルアクチュエータを用いた布の手触り感覚を呈示する触感ディスプレイ
- 最近の研究 金ナノ粒子触媒における最近の進歩
- フラックス法によるダイオプサイドの結晶成長
- Li2O・nMoO3(n=1.00〜1.50)フラックスからのフォルステライトおよびエンスタタイトの結晶成長