フラックス法によるダイオプサイドの結晶成長

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塩基性岩石中に生成する鉱物であるダイオプサイド(CaMg(SiO₃)₂)について,この組成の出発物質とNaC〓フラックスから,保持温度1020～1170℃,約4.5℃hの徐冷速度で結晶成長を行った。保持温度が1090℃で得られたダイオプサイド結晶は,無色透明で,0.2mmの大きさで,結晶面が十分に発達した良質の結晶であった。結晶面は,α{100},b{010},c{001},m{110}およびs{〓11}などで,ときには,p{〓01}やu{111}面も見られた。これらのダイオプサイド結晶の晶癖や格子定数は,天然産の鉱物ダイオプサイドと良い一致を示した。溶融したNaC〓フラックス中では,SiO〓イオンが安定に存在するため,ダイオプサイドの結晶が成長した。1100℃以上では,副生鉱物のNa₂Ca₂Si₃0₉からのガラス化反応が顕著になり,結晶成長は低下するものと考えられる。Studies on crystal-growth of diopside(CaMg(SiO₃)₂)by flux method, which was one of pyroxene group contained in basic rock, were carried out. On crystal-growth experiments, the mixtures of about 45g of NaCI and 1g of CaVlg(SiO₃)〓 composition,were soaked　at　the　temperatures　of　1020～1170℃,　and　then　slowly cooled　at　the　rate　of　4.5℃h　to　about　800℃.The　grown　diopside　crystals　are　granular　shape　as　large　as　O.2mm,　which　were crystallized　at　the　most　promising　soaking　of　1090℃.　They　are　transparent　and　good of　quality.　Many　of　them　were　well-faceted　and　surrounded　by a{100},　b{010},c{001},m{110} and s{〓11}faces,　and　sometimes　p{〓01}and　u{111}faces　were　added.　Their habits　and　lattice　constants　were　in　fair　agreement　with　them　of　the　natural diopside.　The　crystal-growth　by　flux　method　is　crystallization　from　molten　NaC〓　in　which SiO〓- ion　is　existed　of　stable　phase.　Yield　of　diopside　crystals　was　decreased　at higher　soaking　temperature　than　1100℃,　because　Na₂Ca₂Si₃0₉　formed　as　a　by-product　was　gradually　changed　to　glass.
大阪教育大学の論文
2004-02-20

フラックス法によるダイオプサイドの結晶成長

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