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岩手大学工学部材料物性工学科 | 論文
- ラジカル源を利用したMBE法によるBi系超伝導薄膜の初期成長過程 : 超伝導I
- 新しい共蒸着条件による As-grownMgB_2 薄膜の最適化と構造・物性評価
- III-V族混晶半導体の化学熱力学と結晶成長プロセス
- パルス着磁法による5Tを超える超伝導バルク磁石の実現
- 減圧プラズマ溶射によるシリコン系材料の構造と電気的特性
- 有機ポリシランの結晶構造とその蒸着膜の物性
- 水素プラズマスパッタ-法による微結晶Si:Hの成長モデル (ケイ素化学の新しい展開) -- (合成)
- 新しいばね用耐熱合金の開発
- AlNの焼結性および熱拡散率に及ぼす超微粉(AlN/Al)ならびにY_2O_3添加の影響
- 落下型熱量計による高温熱含量測定
- 3-5族化合物半導体のリサイクリングに関する熱力学的検討 (素材プロセス研究 希少金属素材の再資源化) -- (レアメタル)
- 2. 熱量測定による溶融III-V族合金の熱力学諸量の導出
- III-V 族合金の平衡蒸気圧と化合物半導体の気相制御
- 金属ヒ化物およびアンチモン化物(MxAsy,MxSby(M=Cu,Fe,Co,Ni))の熱測定
- 熱量測定によるIn-P系,Ga-P系融体の熱力学的研究
- 3-5族化合物の高温含熱量測定
- 熱量測定によるGa-As系,In-As系融体の熱力学的研究
- (4) Cd-Te 2 元系合金の熱力学的解析(主題 : メタロイド(半金属)のプロセッシング)(特定テーマシンポジウム)(素材工学研究会記事)
- ジルコニア固体電解質電池法による溶融 In-Sb-Ag, In-Sb-Te 3元系合金のインジウムの活量測定
- 起電力法による溶融In Bi Cu系, In Sb Cu系合金のインジウムの活量測定