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山梨大学・院・医工 | 論文
- 面方位依存性エッチングを用いた溝型静電誘導整流ダイオードの試作
- C-11-5 横型MOS静電誘導トランジスタの高周波特性のシミュレーション(C-11.シリコン材料・デバイス,一般講演)
- 横型MOS-SITの高周波性能のシミュレーション (第19回 SIデバイスシンポジウム講演論文集)
- 17pB14 強磁場中におけるZnOのMOCVD成長(IV)(半導体エピ(4),第35回結晶成長国内会議)
- 静電誘導整流ダイオードのドリフト層厚みの効果
- 25pB02 強磁場中におけるZnOのMOCVD成長(III)(半導体エピ(2),第34回結晶成長国内会議)
- SiC静電誘導トランジスタ構造を用いたゲートアシスト付整流デバイスの特性
- 強磁場中におけるZnOのMOCVD成長(II)(半導体薄膜・表面)
- 強磁場中におけるZnO膜のMOCVD成長 : エピキタシャル成長IV
- 半導体 : 結晶成長とデバイス作製
- 横型SOI静電誘導型整流ダイオード (第12回 SIデバイスシンポジウム講演論文集)
- トンネルMIS型太陽電池のシミュレーション
- p-ZnO単結晶膜の気相成長(III) : 気相成長I
- CdTe/SapphireのHot Wall Epitaxyにおける熱処理効果 : 気相成長I
- ソーラーカーの試作
- Nesa膜による太陽熱エネルギーの封じ込め
- SnO_2-nSi太陽電池の酸化温度・面方位依存性
- トンネルMIS型太陽電池のシミュレーション
- トンネルMIS型太陽電池のシミュレーション
- トンネルMIS型太陽電池のシミュレーション